技術部会　テーマ「陽電子生成とビームダンプの検討状況およびその関連する技術」

日　時：　2018年1月18日（木曜日）　　13:30-16:30(予定)　（受付13:15～） 場　所：　富士ソフトアキバプラザ 6階セミナールーム３ http://www.fsi.co.jp/akibaplaza/cont/info/access.html 対　象：　会員

プログラム

13:30～13:35	開会挨拶	早野部会長
13:35～14:25	講演１	「陽電子生成の検討状況について」 横谷 馨（高エネルギー加速器研究機構 名誉教授）
14:25～15:15	講演２	「ILCのビームダンプ」 照沼 信浩（高エネルギー加速器研究機構 教授）
15分間休憩
15:30～16:10	講演３	「放射線環境下での機器保全」 光畑 幸史（三菱重工株式会社）
16:10～16:30		クロージングと連絡事項
（講演時間には質疑応答時間を含みます）

より検討の進んだ電子駆動陽電子生成の設計状況、大電力のビームを止めるビームダンプ技術の検討状況の解説を行います。 そして、ビームダンプを扱う上で必要な放射線下の保全技術について会員企業から技術詳細のお話を伺えることになりました。 皆様のご出席賜りますよう宜しくお願い申し上げます。 ※ 出席の方は事務局宛メールアドレス information at ml.aaa-sentan.org までお申込みください。 （at を@に変更してお送りください）